Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1N4150_T26A
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
43028141N4150_T26A piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4150_T26A

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1N4150_T26A
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1N4150_T26A.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1V @ 200mA
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    50V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-35
  • Kiirus
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    6ns
  • Pakend
    Tape & Box (TB)
  • Pakett / kott
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    175°C (Max)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    100nA @ 50V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    200mA
  • Mahtuvus @ Vr, F
    2.5pF @ 0V, 1MHz
  • Baasosa number
    1N4150

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "1N4150_T26A" seotud tooted.
1N4150W-HE3-08

1N4150W-HE3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4150TR

1N4150TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Tootjad: Fairchild/ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4151W-G3-08

1N4151W-G3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4150W-HE3-18

1N4150W-HE3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4151W-E3-18

1N4151W-E3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4151TR

1N4151TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4150W-G3-18

1N4150W-G3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4150_S62Z

1N4150_S62Z

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4150W-E3-08

1N4150W-E3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4151TAP

1N4151TAP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4150W-G3-08

1N4150W-G3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4150_T50R

1N4150_T50R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4151

1N4151

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4150TR_S00Z

1N4150TR_S00Z

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4151

1N4151

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N4151W-E3-08

1N4151W-E3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4150W-E3-18

1N4150W-E3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4150UR-1

1N4150UR-1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N4150_T50A

1N4150_T50A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4151TR

1N4151TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.