Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - üksik > 2N6427_D26Z
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
7071591

2N6427_D26Z

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    2N6427_D26Z
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    2N6427_D26Z.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    40V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    1.5V @ 500µA, 500mA
  • Transistori tüüp
    NPN - Darlington
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-92-3
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    625mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sagedus - üleminek
    -
  • Täpsem kirjeldus
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 1.2A 625mW Through Hole TO-92-3
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    14000 @ 500mA, 5V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    1µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    1.2A
  • Baasosa number
    2N6427

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "2N6427_D26Z" seotud tooted.
2N6426RLRAG

2N6426RLRAG

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
2N6427RLRAG

2N6427RLRAG

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
2N6427G

2N6427G

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
2N6428

2N6428

Kirjeldus: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

Tootjad: Central Semiconductor
Laos
RFQ
2N6427RLRA

2N6427RLRA

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
2N6427

2N6427

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

Tootjad: Fairchild/ON Semiconductor
Laos
RFQ
2N6436

2N6436

Kirjeldus: PNP TRANSISTOR

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
2N6428ATA

2N6428ATA

Kirjeldus: TRANS NPN 50V 0.2A TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
2N6426_D26Z

2N6426_D26Z

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
2N6427_D27Z

2N6427_D27Z

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
2N6427

2N6427

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
2N6427_D75Z

2N6427_D75Z

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
2N6431

2N6431

Kirjeldus: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

Tootjad: Central Semiconductor
Laos
RFQ
2N6433

2N6433

Kirjeldus: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

Tootjad: Central Semiconductor
Laos
RFQ
2N6432

2N6432

Kirjeldus: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

Tootjad: Central Semiconductor
Laos
RFQ
2N6426_D74Z

2N6426_D74Z

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
2N6426RLRA

2N6426RLRA

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
2N6430

2N6430

Kirjeldus: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

Tootjad: Central Semiconductor
Laos
RFQ
2N6428ABU

2N6428ABU

Kirjeldus: TRANS NPN 50V 0.2A TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
2N6427

2N6427

Kirjeldus: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

Tootjad: Central Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.