Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > 5HN01M-TL-E
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
29185385HN01M-TL-E piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

5HN01M-TL-E

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    5HN01M-TL-E
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    5HN01M-TL-E.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    3-MCP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5 Ohm @ 50mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    150mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SC-70, SOT-323
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    6.2pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.4nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    50V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 50V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount 3-MCP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "5HN01M-TL-E" seotud tooted.
5HN01SS-TL-E

5HN01SS-TL-E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IXFT26N60P

IXFT26N60P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
5HN01SS-TL-H

5HN01SS-TL-H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 100MA SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IXFP110N15T2

IXFP110N15T2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 110A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
5HN01C-TB-H

5HN01C-TB-H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 100MA SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SPD15P10PGBTMA1

SPD15P10PGBTMA1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
5HN01M-TL-H

5HN01M-TL-H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IXTV200N10TS

IXTV200N10TS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
5HN01C-TB-EX

5HN01C-TB-EX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 100MA CP3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMP1045UQ-7

DMP1045UQ-7

Kirjeldus: MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
FDPF12N35

FDPF12N35

Kirjeldus: MOSFET N-CH 350V 12A TO-220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IPD30N06S2L23ATMA3

IPD30N06S2L23ATMA3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
NVMFS5C442NWFAFT3G

NVMFS5C442NWFAFT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 29A 140A 5DFN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IXTP180N055T

IXTP180N055T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 180A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
5HN01C-TB-E

5HN01C-TB-E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 100MA CP3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
5HN01S-TL-E

5HN01S-TL-E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IXFA16N50P3

IXFA16N50P3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
NTMFD4951NFT3G

NTMFD4951NFT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRF520PBF

IRF520PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FDP2710-F085

FDP2710-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 4A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.