Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > 5LN01C-TB-E
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4086335LN01C-TB-E piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

5LN01C-TB-E

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    5LN01C-TB-E
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    5LN01C-TB-E.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (max)
    ±10V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    3-CP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.8 Ohm @ 50mA, 4V
  • Voolukatkestus (max)
    250mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    5LN01C-TB-E-ND
    5LN01C-TB-EOSTR
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    6.6pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.57nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.5V, 4V
  • Vooluallikas (Vdss)
    50V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 50V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "5LN01C-TB-E" seotud tooted.
5LN01M-TL-E

5LN01M-TL-E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 0.1A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
5LN01C-TB-EX

5LN01C-TB-EX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
5LN01SS-TL-E

5LN01SS-TL-E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
5LN01M-TL-H

5LN01M-TL-H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 100MA SC59

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
5LN01C-TB-H

5LN01C-TB-H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 100MA CP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI9410BDY-T1-GE3

SI9410BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
5LN01S-TL-E

5LN01S-TL-E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI4438DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFR5505TRL

IRFR5505TRL

Kirjeldus: MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
APT24M120L

APT24M120L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
IRLL2705TR

IRLL2705TR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
RSH125N03TB1

RSH125N03TB1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12.5A SOP8

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
R8005ANX

R8005ANX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 5A TO220

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
GKI03061

GKI03061

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN

Tootjad: Sanken Electric Co., Ltd.
Laos
RFQ
5LN01SP

5LN01SP

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 0.1A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
5LN01SP-AC

5LN01SP-AC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 100MA SPA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTD32N06-1G

NTD32N06-1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
5LN01SS-TL-H

5LN01SS-TL-H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SPW20N60CFDFKSA1

SPW20N60CFDFKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
AOD5T40P_101

AOD5T40P_101

Kirjeldus: MOSFET N-CH DPAK

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.