Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > DSK10C
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4735979DSK10C piltON Semiconductor

DSK10C

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    DSK10C
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1A
  • Pinge - jaotus
    -
  • Seeria
    -
  • RoHS staatus
    Bulk
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    -
  • Polarisatsioon
    R-1 (Axial)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Partii number
    DSK10C
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 200V 1A Through Hole
  • Dioodide seadistamine
    10µA @ 200V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.1V @ 1A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    200V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    150°C (Max)
DSK10E-ET1

DSK10E-ET1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
SS110LHMHG

SS110LHMHG

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SUB SMA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
S20100

S20100

Kirjeldus: RECTIFIER

Tootjad: Microsemi
Laos
DSK-3R3H224U-HL

DSK-3R3H224U-HL

Kirjeldus: CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD

Tootjad: Elna America
Laos
DSK9J01P0L

DSK9J01P0L

Kirjeldus: JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3

Tootjad: Panasonic
Laos
DSK10E-BT

DSK10E-BT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
DSK5J01Q0L

DSK5J01Q0L

Kirjeldus: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

Tootjad: Panasonic
Laos
DSK10C-BT

DSK10C-BT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
DSK10E

DSK10E

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
DSK10C-AT1

DSK10C-AT1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
DSK10B-AT1

DSK10B-AT1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
DSK-3R3H204T614-H2L

DSK-3R3H204T614-H2L

Kirjeldus: CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD

Tootjad: Elna America
Laos
DSK-3R3H703T414-HLL

DSK-3R3H703T414-HLL

Kirjeldus: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Tootjad: Elna America
Laos
DSK-3R3H703T414-HRL

DSK-3R3H703T414-HRL

Kirjeldus: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Tootjad: Elna America
Laos
DSK10E-AT1

DSK10E-AT1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
DSK-3R3H334T-HL

DSK-3R3H334T-HL

Kirjeldus: CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD

Tootjad: Elna America
Laos
DSK5J01P0L

DSK5J01P0L

Kirjeldus: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

Tootjad: Panasonic
Laos
DSK10B-BT

DSK10B-BT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
DSK10B

DSK10B

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
DSK10C-ET1

DSK10C-ET1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Tootjad: ON Semiconductor
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi