Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FCB36N60NTM
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
241218FCB36N60NTM piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCB36N60NTM

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
800+
$4.111
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FCB36N60NTM
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FCB36N60NTM.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK
  • Seeria
    SupreMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 18A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    312W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    FCB36N60NTM-ND
    FCB36N60NTMTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    44 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4785pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    112nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 36A (Tc) 312W (Tc) Surface Mount D²PAK
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    36A (Tc)
  • Baasosa number
    FCB36N60

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "FCB36N60NTM" seotud tooted.
FCB24R7J

FCB24R7J

Kirjeldus: RES 4.70 OHM 2W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB41R0J

FCB41R0J

Kirjeldus: RES 1.00 OHM 4W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB2R47J

FCB2R47J

Kirjeldus: RES 0.47 OHM 2W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB2R33J

FCB2R33J

Kirjeldus: RES 0.33 OHM 2W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB2R22J

FCB2R22J

Kirjeldus: RES 0.22 OHM 2W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB41K0J

FCB41K0J

Kirjeldus: RES 1.00K OHM 4W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB410KJ

FCB410KJ

Kirjeldus: RES 10.0K OHM 4W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB22R2J

FCB22R2J

Kirjeldus: RES 2.20 OHM 2W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB260N65S3

FCB260N65S3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 260MOHM D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCB247RJ

FCB247RJ

Kirjeldus: RES 47.0 OHM 2W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB410RJ

FCB410RJ

Kirjeldus: RES 10.0 OHM 4W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB290N80

FCB290N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCB2330RJ

FCB2330RJ

Kirjeldus: RES 330 OHM 2W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB412RJ

FCB412RJ

Kirjeldus: RES 12.0 OHM 4W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB4150RJ

FCB4150RJ

Kirjeldus: RES 150 OHM 4W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB418RJ

FCB418RJ

Kirjeldus: RES 18.0 OHM 4W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB41K5J

FCB41K5J

Kirjeldus: RES 1.50K OHM 4W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB415RJ

FCB415RJ

Kirjeldus: RES 15.0 OHM 4W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB23R3K

FCB23R3K

Kirjeldus: RES 3.30 OHM 2W 10% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB4100RJ

FCB4100RJ

Kirjeldus: RES 100 OHM 4W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.