Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FCP110N65F
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4384084FCP110N65F piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCP110N65F

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
800+
$4.179
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FCP110N65F
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 650V 35A TO220
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FCP110N65F.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 3.5mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220-3
  • Seeria
    FRFET®, SuperFET® II
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    110 mOhm @ 17.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    357W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    52 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4895pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    145nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    650V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 650V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FCP110N65F" seotud tooted.
FCP1206C153G

FCP1206C153G

Kirjeldus: CAP FILM 0.015UF 2% 16VDC 1206

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
FCP1206C153G-H1

FCP1206C153G-H1

Kirjeldus: CAP FILM 0.015UF 2% 16VDC 1206

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
FCP0805H821J

FCP0805H821J

Kirjeldus: CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
FCP0805H681J

FCP0805H681J

Kirjeldus: CAP FILM 680PF 5% 50VDC 0805

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
FCP0805H821G-J1

FCP0805H821G-J1

Kirjeldus: CAP FILM 820PF 2% 50VDC 0805

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
FCP11N60F

FCP11N60F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCP11N60

FCP11N60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCP0805H681J-J1

FCP0805H681J-J1

Kirjeldus: CAP FILM 680PF 5% 50VDC 0805

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
FCP0805H821G

FCP0805H821G

Kirjeldus: CAP FILM 820PF 2% 50VDC 0805

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
FCP104N60F

FCP104N60F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCP1206C123G-H1

FCP1206C123G-H1

Kirjeldus: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
FCP0805H821J-J1

FCP0805H821J-J1

Kirjeldus: CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
FCP099N60E

FCP099N60E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V TO220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCP1206C123G

FCP1206C123G

Kirjeldus: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
FCP11N60N

FCP11N60N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCP099N65S3

FCP099N65S3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCP11N60N-F102

FCP11N60N-F102

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCP1206C123J

FCP1206C123J

Kirjeldus: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
FCP1206C123J-H1

FCP1206C123J-H1

Kirjeldus: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

Tootjad: Cornell Dubilier Electronics
Laos
RFQ
FCP104N60

FCP104N60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 37A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.