Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDA16N50-F109
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
78926FDA16N50-F109 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDA16N50-F109

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$3.28
10+
$2.933
450+
$2.17
900+
$1.76
1350+
$1.642
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDA16N50-F109
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 500V 16.5A TO-3P
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDA16N50-F109.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-3PN
  • Seeria
    UniFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    380 mOhm @ 8.3A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    205W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Muud nimed
    FDA16N50_F109
    FDA16N50_F109-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1945pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    500V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 500V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    16.5A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDA16N50-F109" seotud tooted.
FDA1254-H-3R3M=P3

FDA1254-H-3R3M=P3

Kirjeldus: 3.3UH 20% 11500MA RDC=0.0070OHM

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
FDA2-17238NBHT3F-SF

FDA2-17238NBHT3F-SF

Kirjeldus: FAN AXIAL 172X38.5MM 115VAC TERM

Tootjad: Fan-S Division / Qualtek Electronics Corp.
Laos
RFQ
FDA16N50

FDA16N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 16.5A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDA000019

FDA000019

Kirjeldus: OSC XO 100.000MHZ CMOS SMD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
FDA000020

FDA000020

Kirjeldus: OSC XO 100.000MHZ CMOS SMD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
FDA000021

FDA000021

Kirjeldus: OSC XO 100.000MHZ CMOS SMD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
FDA032N08

FDA032N08

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 120A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDA2-17238NBHT3D-L

FDA2-17238NBHT3D-L

Kirjeldus: FAN AXIAL 172X38.5MM 115VAC TERM

Tootjad: Fan-S Division / Qualtek Electronics Corp.
Laos
RFQ
FDA1055-H-3R3M=P3

FDA1055-H-3R3M=P3

Kirjeldus: FIXED IND 3.3UH 11.2A 7.3 MOHM

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
FDA2-17238NBHT3D

FDA2-17238NBHT3D

Kirjeldus: FAN AXIAL 172X38.5MM 115VAC TERM

Tootjad: Fan-S Division / Qualtek Electronics Corp.
Laos
RFQ
FDA000022

FDA000022

Kirjeldus: OSC XO 100.000MHZ CMOS SMD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
FDA15N65

FDA15N65

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 16A TO-3PN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDA2-17238NBHT3F

FDA2-17238NBHT3F

Kirjeldus: FAN AXIAL 172X38.5MM 115VAC TERM

Tootjad: Fan-S Division / Qualtek Electronics Corp.
Laos
RFQ
FDA18N50

FDA18N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDA2-17238NBHT4D-L

FDA2-17238NBHT4D-L

Kirjeldus: FAN AXIAL 172X38.5MM 115VAC TERM

Tootjad: Fan-S Division / Qualtek Electronics Corp.
Laos
RFQ
FDA16N50LDTU

FDA16N50LDTU

Kirjeldus: UNIFET N-CHANNEL 500V MOSFET LDT

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDA2-17238NBHT4D

FDA2-17238NBHT4D

Kirjeldus: FAN AXIAL 172X38.5MM 115VAC TERM

Tootjad: Fan-S Division / Qualtek Electronics Corp.
Laos
RFQ
FDA1254-H-4R7M=P3

FDA1254-H-4R7M=P3

Kirjeldus: FIXED IND 4.7UH 10.2A 8.8 MOHM

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
FDA2-17238NBHT4F

FDA2-17238NBHT4F

Kirjeldus: FAN AXIAL 172X38.5MM 115VAC TERM

Tootjad: Fan-S Division / Qualtek Electronics Corp.
Laos
RFQ
FDA2-17238NBHT3F-L

FDA2-17238NBHT3F-L

Kirjeldus: FAN AXIAL 172X38.5MM 115VAC TERM

Tootjad: Fan-S Division / Qualtek Electronics Corp.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.