Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDB0260N1007L
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4690532FDB0260N1007L piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB0260N1007L

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
800+
$4.087
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDB0260N1007L
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDB0260N1007L.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK (TO-263)
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.6 mOhm @ 27A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.8W (Ta), 250W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Muud nimed
    FDB0260N1007LTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    39 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    8545pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    118nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 200A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    200A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDB0260N1007L" seotud tooted.
FDB029N06

FDB029N06

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB0105N407L

FDB0105N407L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 460A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB024N04AL7

FDB024N04AL7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB045AN08A0-F085

FDB045AN08A0-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB0190N807L

FDB0190N807L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB039N06

FDB039N06

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB0250N807L

FDB0250N807L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB0300N1007L

FDB0300N1007L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB035AN06A0-F085

FDB035AN06A0-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB045AN08A0

FDB045AN08A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB024N06

FDB024N06

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB024N08BL7

FDB024N08BL7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB035N10A

FDB035N10A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB035AN06A0

FDB035AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB0165N807L

FDB0165N807L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 310A TO263

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB047N10

FDB047N10

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB016N04AL7

FDB016N04AL7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB0170N607L

FDB0170N607L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB031N08

FDB031N08

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB-S

FDB-S

Kirjeldus: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

Tootjad: Hirose
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.