Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDB8160-F085
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1604223FDB8160-F085 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB8160-F085

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
800+
$1.753
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDB8160-F085
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDB8160-F085.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263AB
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8 mOhm @ 80A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    254W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    FDB8160-F085TR
    FDB8160_F085
    FDB8160_F085-ND
    FDB8160_F085TR
    FDB8160_F085TR-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    11825pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    243nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 80A (Tc) 254W (Tc) Surface Mount TO-263AB
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDB8160-F085" seotud tooted.
FDB8443

FDB8443

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8444TS

FDB8444TS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB6670AL

FDB6670AL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8132

FDB8132

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8442-F085

FDB8442-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8444

FDB8444

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8443-F085

FDB8443-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB7030BL

FDB7030BL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8442

FDB8442

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB6670AS

FDB6670AS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8132_F085

FDB8132_F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8445

FDB8445

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8441

FDB8441

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8441-F085

FDB8441-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB7030L_L86Z

FDB7030L_L86Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8160

FDB8160

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8030L

FDB8030L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB6690S

FDB6690S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 42A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8444-F085

FDB8444-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB7030L

FDB7030L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.