Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDD1600N10ALZ
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2516090

FDD1600N10ALZ

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.337
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDD1600N10ALZ
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDD1600N10ALZ.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    DPAK
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    160 mOhm @ 3.4A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    14.9W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    FDD1600N10ALZTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    39 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    225pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.61nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 6.8A (Tc) 14.9W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6.8A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDD1600N10ALZ" seotud tooted.
FDD14AN06LA0-F085

FDD14AN06LA0-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD24AN06LA0-F085

FDD24AN06LA0-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 40A TO-252

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD13AN06A0

FDD13AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD13AN06A0-F085

FDD13AN06A0-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD10AN06A0-F085

FDD10AN06A0-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD20AN06A0-F085

FDD20AN06A0-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 45A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD24AN06LA0_SB82179

FDD24AN06LA0_SB82179

Kirjeldus: INTEGRATED CIRCUIT

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD1600N10ALZD

FDD1600N10ALZD

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD120AN15A0-F085

FDD120AN15A0-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD10N20LZTM

FDD10N20LZTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD24AN06LA0

FDD24AN06LA0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 40A D-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD16AN08A0

FDD16AN08A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD13AN06A0_F085

FDD13AN06A0_F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

Tootjad: Fairchild/ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD10AN06A0

FDD10AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD16AN08A0_NF054

FDD16AN08A0_NF054

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 50A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD14AN06LA0

FDD14AN06LA0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD16AN08A0-F085

FDD16AN08A0-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 50A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD120AN15A0

FDD120AN15A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD18N20LZ

FDD18N20LZ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V DPAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD20AN06A0

FDD20AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.