Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDD2572-F085
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6767060

FDD2572-F085

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.677
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDD2572-F085
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 150V 29A DPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDD2572-F085.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-252AA
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    54 mOhm @ 9A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    135W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    FDD2572-F085TR
    FDD2572_F085
    FDD2572_F085-ND
    FDD2572_F085TR
    FDD2572_F085TR-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    16 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1770pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    150V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 150V 4A (Ta), 29A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4A (Ta), 29A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDD2572-F085" seotud tooted.
FDD330003

FDD330003

Kirjeldus: OSCILLATOR XO 133.33MHZ CMOS SMD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
FDD24AN06LA0

FDD24AN06LA0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 40A D-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD2572

FDD2572

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 29A D-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD2612

FDD2612

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD24AN06LA0_SB82179

FDD24AN06LA0_SB82179

Kirjeldus: INTEGRATED CIRCUIT

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD3570

FDD3570

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD3510H

FDD3510H

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD16AN08A0_NF054

FDD16AN08A0_NF054

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 50A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD26AN06A0

FDD26AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 36A D-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD18N20LZ

FDD18N20LZ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V DPAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD2570

FDD2570

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 4.7A D-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD2582

FDD2582

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 21A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD26AN06A0-F085

FDD26AN06A0-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD24AN06LA0-F085

FDD24AN06LA0-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 40A TO-252

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD306P

FDD306P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD20AN06A0

FDD20AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD2670

FDD2670

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD2512

FDD2512

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD20AN06A0-F085

FDD20AN06A0-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 45A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD300004

FDD300004

Kirjeldus: OSC XO 133.000MHZ CMOS SMD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.