Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDD8882
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5493938

FDD8882

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.416
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDD8882
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDD8882.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-252AA
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.5 mOhm @ 35A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    55W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    FDD8882-ND
    FDD8882TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    42 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1260pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 12.6A (Ta), 55A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    12.6A (Ta), 55A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDD8882" seotud tooted.
FDD8780

FDD8780

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD8870

FDD8870

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD9407L-F085

FDD9407L-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD8N50NZTM

FDD8N50NZTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD8782

FDD8782

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 35A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD8796

FDD8796

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 35A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD8896-F085

FDD8896-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD9409-F085

FDD9409-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 90A TO252

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD8896

FDD8896

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD9410L-F085

FDD9410L-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO252

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD8778

FDD8778

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 35A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD9410-F085

FDD9410-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD8880

FDD8880

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD9407-F085

FDD9407-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A TO252

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD8874

FDD8874

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK

Tootjad: Fairchild/ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD9407_SN00283

FDD9407_SN00283

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD8878

FDD8878

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD9409L-F085

FDD9409L-F085

Kirjeldus: NMOS DPAK 40V 2.6 MOHM

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD8870-F085

FDD8870-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 21A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD8876

FDD8876

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.