Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDFS6N303
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2340653FDFS6N303 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDFS6N303

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDFS6N303
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDFS6N303.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 6A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    900mW (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    FDFS6N303_NLCT
    FDFS6N303_NLCT-ND
    FDFS6N303CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    350pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    Schottky Diode (Isolated)
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 6A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDFS6N303" seotud tooted.
FDFMA2P853T

FDFMA2P853T

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFMA2P029Z

FDFMA2P029Z

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFMA3N109

FDFMA3N109

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFMA2P853

FDFMA2P853

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFS6N754

FDFS6N754

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFMA2P029Z-F106

FDFMA2P029Z-F106

Kirjeldus: -20V -3.1A 95 O PCH ER T

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFME2P823ZT

FDFME2P823ZT

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFS2P103

FDFS2P103

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFS2P103A

FDFS2P103A

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFMJ2P023Z

FDFMJ2P023Z

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFME3N311ZT

FDFME3N311ZT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFS2P106A

FDFS2P106A

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFMA2P857

FDFMA2P857

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFS2P102

FDFS2P102

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFS2P753Z

FDFS2P753Z

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFMA3P029Z

FDFMA3P029Z

Kirjeldus: MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFMA2P859T

FDFMA2P859T

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFS2P753AZ

FDFS2P753AZ

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3A 8-SO

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFS2P102A

FDFS2P102A

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFS6N548

FDFS6N548

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.