Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDH3632
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4840599FDH3632 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDH3632

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$6.03
10+
$5.388
450+
$3.987
900+
$3.233
1350+
$3.017
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDH3632
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDH3632.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 80A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    310W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Muud nimed
    FDH3632-ND
    FDH3632FS
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    6000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta), 80A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDH3632" seotud tooted.
FDH300_T50R

FDH300_T50R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH50N50

FDH50N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 48A TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH44N50

FDH44N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 44A TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH300TR

FDH300TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH333TR

FDH333TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH400_T50R

FDH400_T50R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH300A_T50R

FDH300A_T50R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH333

FDH333

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH333_T50R

FDH333_T50R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH400_T50A

FDH400_T50A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH400TR

FDH400TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH3595

FDH3595

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH444

FDH444

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH444_T50R

FDH444_T50R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH300

FDH300

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH300A

FDH300A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH300ATR

FDH300ATR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH444TR

FDH444TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH45N50F-F133

FDH45N50F-F133

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 45A TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH400

FDH400

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.