Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDI3632
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5393991FDI3632 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDI3632

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDI3632
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDI3632.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    I2PAK (TO-262)
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 80A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    310W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Muud nimed
    FDI3632-ND
    FDI3632FS
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    6000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta), 80A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDI3632" seotud tooted.
FDI045N10A

FDI045N10A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDI3652

FDI3652

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDI8442

FDI8442

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDI8441_F085

FDI8441_F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDI18-250Q

FDI18-250Q

Kirjeldus: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Tootjad: 3M
Laos
RFQ
FDI045N10A-F102

FDI045N10A-F102

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDI150N10

FDI150N10

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDI040N06

FDI040N06

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDI10-250Q

FDI10-250Q

Kirjeldus: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC

Tootjad: 3M
Laos
RFQ
FDI33N25TU

FDI33N25TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDI2532

FDI2532

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDI9406-F085

FDI9406-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDI18-187Q

FDI18-187Q

Kirjeldus: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Tootjad: 3M
Laos
RFQ
FDI9409-F085

FDI9409-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDI8441

FDI8441

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDI038AN06A0

FDI038AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDI047AN08A0

FDI047AN08A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDI14-250Q

FDI14-250Q

Kirjeldus: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Tootjad: 3M
Laos
RFQ
FDI14-250C

FDI14-250C

Kirjeldus: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Tootjad: 3M
Laos
RFQ
FDI14-187Q

FDI14-187Q

Kirjeldus: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Tootjad: 3M
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.