Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDJ128N
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4665918FDJ128N piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDJ128N

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDJ128N
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDJ128N.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±12V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SC75-6 FLMP
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 5.5A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    1.6W (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    SC75-6 FLMP
  • Muud nimed
    FDJ128N_NLCT
    FDJ128N_NLCT-ND
    FDJ128NCT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    543pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    2.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    5.5A (Ta)

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDJ128N" seotud tooted.
IXTP54N30T

IXTP54N30T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 54A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IRFR1205TRR

IRFR1205TRR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

Tootjad: Infineon Technologies
Laos
RFQ
FDJ1028N

FDJ1028N

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC-75

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDJ1032C

FDJ1032C

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDJ127P

FDJ127P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BSC120N03LSGATMA1

BSC120N03LSGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FDJ1027P

FDJ1027P

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC-75

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDD86367-F085

FDD86367-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
TSM160P04LCRHRLG

TSM160P04LCRHRLG

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
IPU60R2K1CEAKMA1

IPU60R2K1CEAKMA1

Kirjeldus: CONSUMER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFSL4127PBF

IRFSL4127PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 72A TO-262

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FDJ129P

FDJ129P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BSP372NH6327XTSA1

BSP372NH6327XTSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FDJ129P_F077

FDJ129P_F077

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDJ128N_F077

FDJ128N_F077

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRLBA1304P

IRLBA1304P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
STW45N60DM2AG

STW45N60DM2AG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 34A

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
WPB4001-1E

WPB4001-1E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 26A TO3P3L

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IXTQ36N20T

IXTQ36N20T

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V TO-3P

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
GP1M005A050FSH

GP1M005A050FSH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.