Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDM3622
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4403107FDM3622 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDM3622

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.673
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDM3622
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDM3622.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-MLP (3.3x3.3)
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 4.4A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.1W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-PowerWDFN
  • Muud nimed
    FDM3622-ND
    FDM3622TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    6 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1090pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 4.4A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4.4A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDM3622" seotud tooted.
FDMA008P20LZ

FDMA008P20LZ

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 20V 12A 6PQFN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDM100-0045SP

FDM100-0045SP

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
FDMA1024NZ

FDMA1024NZ

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6-MICROFET

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDM-2

FDM-2

Kirjeldus: FUSE KIT DISPLAY MERCHANDISER

Tootjad: Bussmann (Eaton)
Laos
RFQ
FDM3300NZ

FDM3300NZ

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDM-2E

FDM-2E

Kirjeldus: FUSE KIT DISPLAY MERCHANDISER

Tootjad: Bussmann (Eaton)
Laos
RFQ
FDMA1023PZ-F106

FDMA1023PZ-F106

Kirjeldus: DUAL P-CH ERTRENCH FETS

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDM21-05QC

FDM21-05QC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
FDM606P

FDM606P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDMA1025P

FDMA1025P

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MLP2X2

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDM6296

FDM6296

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDMA1028NZ

FDMA1028NZ

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6-MICROFET

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDM15-06KC5

FDM15-06KC5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
FDMA037N08LC

FDMA037N08LC

Kirjeldus: FET 80V 3.7 MOHM MLP33

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDMA1023PZ

FDMA1023PZ

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A MICROFET

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDM47-06KC5

FDM47-06KC5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
FDMA0104

FDMA0104

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 9.4A MICROFET

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDM2509NZ

FDM2509NZ

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDMA1027P

FDMA1027P

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDMA1027PT

FDMA1027PT

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.