Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDN327N
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6001708

FDN327N

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.143
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDN327N
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.FDN327N.pdf
    2.FDN327N.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SuperSOT-3
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70 mOhm @ 2A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    500mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    FDN327N-ND
    FDN327NTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    42 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    423pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.3nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDN327N" seotud tooted.
FDN-010

FDN-010

Kirjeldus: S/S .010" NEEDLE, 10/PK

Tootjad: Chemtronics
Laos
RFQ
FDN338P

FDN338P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN337N

FDN337N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN028N20

FDN028N20

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6.1A SOT23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN339AN

FDN339AN

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN304PZ

FDN304PZ

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN342P

FDN342P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN304P

FDN304P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN-020

FDN-020

Kirjeldus: S/S .020" NEEDLE, 10/PK

Tootjad: Chemtronics
Laos
RFQ
FDN352AP

FDN352AP

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN336P-NL

FDN336P-NL

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN338P_G

FDN338P_G

Kirjeldus: INTEGRATED CIRCUIT

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN339AN_G

FDN339AN_G

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN302P

FDN302P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN306P

FDN306P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN340P

FDN340P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN335N

FDN335N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN336P

FDN336P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN308P

FDN308P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN357N

FDN357N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.