Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDN5618P
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4419138

FDN5618P

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.63
10+
$0.529
100+
$0.397
500+
$0.291
1000+
$0.225
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDN5618P
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.FDN5618P.pdf
    2.FDN5618P.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SuperSOT-3
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    170 mOhm @ 1.25A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    500mW (Ta)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    FDN5618PDKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    42 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    430pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.8nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 60V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.25A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDN5618P" seotud tooted.
FDN361AN

FDN361AN

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN371N

FDN371N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 2.5A SSOT-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN361BN

FDN361BN

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN5618P_G

FDN5618P_G

Kirjeldus: INTEGRATED CIRCUIT

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN86265P

FDN86265P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 0.8A 3SSOT

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN342P

FDN342P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN358P

FDN358P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN8601

FDN8601

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN86501LZ

FDN86501LZ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 2.6A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN352AP

FDN352AP

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN372S

FDN372S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN86246

FDN86246

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN357N

FDN357N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN5630

FDN5630

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN537N

FDN537N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN5632N-F085

FDN5632N-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

Tootjad: Fairchild/ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN360P

FDN360P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDN359AN

FDN359AN

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.