Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDP023N08B-F102
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1243830

FDP023N08B-F102

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$3.79
10+
$3.381
100+
$2.772
500+
$2.245
1000+
$1.893
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDP023N08B-F102
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDP023N08B-F102.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.8V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220-3
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.35 mOhm @ 75A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    245W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Muud nimed
    FDP023N08B_F102
    FDP023N08B_F102-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    13765pF @ 37.5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    195nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    75V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 75V 120A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDP023N08B-F102" seotud tooted.
FDP038AN06A0-F102

FDP038AN06A0-F102

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP-1000

FDP-1000

Kirjeldus: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1M

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
FDP-500

FDP-500

Kirjeldus: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
FDP-1500

FDP-1500

Kirjeldus: PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 1.5M

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
FDP038AN06A0

FDP038AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP039N08B-F102

FDP039N08B-F102

Kirjeldus: MOSFET N CH 80V 120A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP025N06

FDP025N06

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP-N500

FDP-N500

Kirjeldus: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 500MM

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
FDP032N08B-F102

FDP032N08B-F102

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP020N06B-F102

FDP020N06B-F102

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP032N08

FDP032N08

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 120A TO-220

Tootjad: Fairchild/ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP027N08B-F102

FDP027N08B-F102

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP030N06

FDP030N06

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP027N08B

FDP027N08B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP-N1500

FDP-N1500

Kirjeldus: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1.5M

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
FDP030N06B-F102

FDP030N06B-F102

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP040N06

FDP040N06

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP-N1000

FDP-N1000

Kirjeldus: PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
FDP036N10A

FDP036N10A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP032N08-F102

FDP032N08-F102

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.