Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDP047N08-F102
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1809032

FDP047N08-F102

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
800+
$2.035
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDP047N08-F102
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDP047N08-F102.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.7 Ohm @ 80A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    268W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Muud nimed
    FDP047N08_F102
    FDP047N08_F102-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    9 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    9415pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    152nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    75V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 75V 164A (Tc) 268W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    164A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDP047N08-F102" seotud tooted.
FDP053N08B-F102

FDP053N08B-F102

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 75A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP047AN08A0-F102

FDP047AN08A0-F102

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP075N15A-F102

FDP075N15A-F102

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP047N10

FDP047N10

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP040N06

FDP040N06

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP060AN08A0

FDP060AN08A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP075N15A

FDP075N15A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP045N10A

FDP045N10A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP038AN06A0-F102

FDP038AN06A0-F102

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP039N08B-F102

FDP039N08B-F102

Kirjeldus: MOSFET N CH 80V 120A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP083N15A-F102

FDP083N15A-F102

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP083N15A

FDP083N15A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V TO-220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP045N10A-F102

FDP045N10A-F102

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP070AN06A0

FDP070AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP054N10

FDP054N10

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP050AN06A0

FDP050AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP036N10A

FDP036N10A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP047N08

FDP047N08

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 164A TO-220

Tootjad: Fairchild/ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP038AN06A0

FDP038AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP047AN08A0

FDP047AN08A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.