Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDP86363-F085
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
349398

FDP86363-F085

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$3.66
10+
$3.269
400+
$2.419
800+
$1.961
1200+
$1.83
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDP86363-F085
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDP86363-F085.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220AB
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8 mOhm @ 80A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    300W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Muud nimed
    FDP86363_F085
    FDP86363_F085-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    10000pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    150nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    80V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 80V 110A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    110A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDP86363-F085" seotud tooted.
FDP8441

FDP8441

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP8442-F085

FDP8442-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP8874

FDP8874

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 114A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP8441_F085

FDP8441_F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP8440

FDP8440

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP8896

FDP8896

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 92A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP80N06

FDP80N06

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP8443

FDP8443

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP8D5N10C

FDP8D5N10C

Kirjeldus: FET ENGR DEV-NOT REL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP8880

FDP8880

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP8030L

FDP8030L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A TO220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP8860

FDP8860

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP8878

FDP8878

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP8442

FDP8442

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP8N50NZ

FDP8N50NZ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP8870-F085

FDP8870-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 156A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP8443-F085

FDP8443-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP8876

FDP8876

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 70A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP8870

FDP8870

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB

Tootjad: Fairchild/ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDP8447L

FDP8447L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 12A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.