Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDR840P
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1670122

FDR840P

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDR840P
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDR840P.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±12V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SuperSOT™-8
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 10A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    1.8W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SMD, Gull Wing
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4481pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    2.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 20V 10A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDR840P" seotud tooted.
BUK7Y1R7-40HX

BUK7Y1R7-40HX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
FDR25S-2

FDR25S-2

Kirjeldus: HOOK-UP DUAL WALL STRND 2AWG BLK

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
FDR842P

FDR842P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDR8702H

FDR8702H

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDR8521L

FDR8521L

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V SSOT-8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDR25S-4

FDR25S-4

Kirjeldus: CABLE STRANDED

Tootjad: TE Connectivity Raychem Cable Protection
Laos
RFQ
FDR858P

FDR858P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDR8308P

FDR8308P

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDR8305N

FDR8305N

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDR25S-8

FDR25S-8

Kirjeldus: HOOK-UP DUAL WALL STRND 8AWG BLK

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
FDR838P

FDR838P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDR844P

FDR844P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDR8508P

FDR8508P

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDR6580

FDR6580

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMNH10H028SK3Q-13

DMNH10H028SK3Q-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
EPC2047ENGRT

EPC2047ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 200V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
CSD18509Q5B

CSD18509Q5B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

Tootjad: Luminary Micro / Texas Instruments
Laos
RFQ
FDR4420A

FDR4420A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A SSOT-8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDR25-0

FDR25-0

Kirjeldus: CABLE STRANDED MC

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
FDR6674A

FDR6674A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.