Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDS6680S
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2164323FDS6680S piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS6680S

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDS6680S
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDS6680S.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 11.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2010pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    11.5A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDS6680S" seotud tooted.
FDS6688S

FDS6688S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6680AS

FDS6680AS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6675

FDS6675

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6679

FDS6679

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6682

FDS6682

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6679Z

FDS6679Z

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6676AS

FDS6676AS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6680A

FDS6680A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6690AS

FDS6690AS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6688

FDS6688

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6679AZ

FDS6679AZ

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6690A

FDS6690A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6675A

FDS6675A

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6689S

FDS6689S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6680

FDS6680

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6681Z

FDS6681Z

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 20A 8-SO

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6690A_NBBM015A

FDS6690A_NBBM015A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6685

FDS6685

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6688AS

FDS6688AS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SO

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6675BZ

FDS6675BZ

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.