Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDS8813NZ
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
490900FDS8813NZ piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS8813NZ

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.83
10+
$1.622
100+
$1.282
500+
$0.994
1000+
$0.785
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDS8813NZ
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDS8813NZ.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5 mOhm @ 18.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    FDS8813NZDKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    26 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4145pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    76nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 18.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    18.5A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDS8813NZ" seotud tooted.
FDS8876

FDS8876

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS86252

FDS86252

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS8670

FDS8670

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS8840NZ

FDS8840NZ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS8672S

FDS8672S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS86240

FDS86240

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS86242

FDS86242

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS8842NZ

FDS8842NZ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS86540

FDS86540

Kirjeldus: MOSFET N CH 60V 18A 8-SO

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS8638

FDS8638

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS8874

FDS8874

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS8812NZ

FDS8812NZ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS8880

FDS8880

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS8690

FDS8690

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS8817NZ

FDS8817NZ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS8878

FDS8878

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS8870_G

FDS8870_G

Kirjeldus: INTEGRATED CIRCUIT

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS8858CZ

FDS8858CZ

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-SO

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS86267P

FDS86267P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS8870

FDS8870

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.