Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDV302P-NB8V001
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3644183

FDV302P-NB8V001

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.58
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDV302P-NB8V001
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.FDV302P-NB8V001.pdf
    2.FDV302P-NB8V001.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    -8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    350mW (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    FDV302P-NB8V001CT
    FDV302P_NB8V001CT
    FDV302P_NB8V001CT-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    11pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.31nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    2.7V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    25V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 25V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    120mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDV302P-NB8V001" seotud tooted.
FDVE1040-H-4R7M=P3

FDVE1040-H-4R7M=P3

Kirjeldus: FIXED IND 4.7UH 8A 13.8MOHM SMD

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
FDV0530-H-2R2M=P3

FDV0530-H-2R2M=P3

Kirjeldus: FIXED IND 2.2UH 6A 19.9MOHM SMD

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
FDV14-250Q

FDV14-250Q

Kirjeldus: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

Tootjad: 3M
Laos
RFQ
FDV301N-NB9V005

FDV301N-NB9V005

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDV305N

FDV305N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDVE1040-H-3R3M=P3

FDVE1040-H-3R3M=P3

Kirjeldus: FIXED IND 3.3UH 9A 10.1MOHM SMD

Tootjad: Murata Electronics
Laos
RFQ
FDV304P_NB8U003

FDV304P_NB8U003

Kirjeldus: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDV304P

FDV304P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDV045P20L

FDV045P20L

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.15A SOT23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDV303N_NB9U008

FDV303N_NB9U008

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDV14-187Q

FDV14-187Q

Kirjeldus: FEMALE DISCONNECT VINYL INS

Tootjad: 3M
Laos
RFQ
FDV301N

FDV301N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDV18-187Q

FDV18-187Q

Kirjeldus: FEMALE DISCONNECT VINYL INS

Tootjad: 3M
Laos
RFQ
FDV301N_D87Z

FDV301N_D87Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 0.22A SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDV10-250Q

FDV10-250Q

Kirjeldus: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

Tootjad: 3M
Laos
RFQ
FDV302P_D87Z

FDV302P_D87Z

Kirjeldus: MOSFET P-CH 25V 0.12A SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDV304P-D87Z

FDV304P-D87Z

Kirjeldus: MOSFET P-CH 25V 0.46A SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDV303N

FDV303N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDV18-250Q

FDV18-250Q

Kirjeldus: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

Tootjad: 3M
Laos
RFQ
FDV302P

FDV302P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.