Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > FGP30N6S2
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
7065462

FGP30N6S2

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FGP30N6S2
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 600V 45A 167W TO220AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.FGP30N6S2.pdf
    2.FGP30N6S2.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 12A
  • Testimise tingimus
    390V, 12A, 10 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    6ns/40ns
  • Switching Energy
    55µJ (on), 100µJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220AB
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    167W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Muud nimed
    FGP30N6S2_NL
    FGP30N6S2_NL-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    -
  • Väravad
    23nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT 600V 45A 167W Through Hole TO-220AB
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    108A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    45A

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FGP30N6S2" seotud tooted.
FGP30CHE3/54

FGP30CHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 3A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGP30D-E3/73

FGP30D-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGP30DHE3/54

FGP30DHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGP3440G2-F085

FGP3440G2-F085

Kirjeldus: ECOSPARK 2 IGNITION IGBT

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FGP30DHE3/73

FGP30DHE3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGP50BHE3/73

FGP50BHE3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 5A GP20

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGP50C-E3/54

FGP50C-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGP30C-E3/73

FGP30C-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 3A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGP50B-E3/54

FGP50B-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 5A GP20

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGP30CHE3/73

FGP30CHE3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 3A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGP50C-E3/73

FGP50C-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGP30BHE3/73

FGP30BHE3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGP30BHE3/54

FGP30BHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGP30N6S2D

FGP30N6S2D

Kirjeldus: IGBT 600V 45A 167W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FGP50B-E3/73

FGP50B-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 5A GP20

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGP30C-E3/54

FGP30C-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 3A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGP50BHE3/54

FGP50BHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 5A GP20

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGP30D-E3/54

FGP30D-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO204AC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
FGP50CHE3/54

FGP50CHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGP40N6S2

FGP40N6S2

Kirjeldus: IGBT 600V 75A 290W TO220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.