Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > FGP5N60UFDTU
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4598153

FGP5N60UFDTU

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FGP5N60UFDTU
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 600V 10A 81W TO220
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.FGP5N60UFDTU.pdf
    2.FGP5N60UFDTU.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 5A
  • Testimise tingimus
    400V, 5A, 20 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    6ns/44ns
  • Switching Energy
    75µJ (on), 59µJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220-3
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    30ns
  • Võimsus - maks
    81W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    Field Stop
  • Väravad
    19.5nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Field Stop 600V 10A 81W Through Hole TO-220-3
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    15A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    10A

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FGP5N60UFDTU" seotud tooted.
FGPF4533

FGPF4533

Kirjeldus: IGBT 330V 28.4W TO220-3FP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FGP50D-E3/73

FGP50D-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 5A GP20

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGPF120N30TU

FGPF120N30TU

Kirjeldus: IGBT 300V 120A 60W TO220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FGP50C-E3/54

FGP50C-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGPF10N60UNDF

FGPF10N60UNDF

Kirjeldus: IGBT 600V 20A 42W TO-220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FGP50C-E3/73

FGP50C-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGPF30N30TTU

FGPF30N30TTU

Kirjeldus: IGBT 300V 44.6W TO220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FGP50DHE3/54

FGP50DHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 5A GP20

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGPF30N30TDTU

FGPF30N30TDTU

Kirjeldus: IGBT 300V 44.6W TO220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FGPF30N45TTU

FGPF30N45TTU

Kirjeldus: IGBT 450V 50.4W TO220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FGP5N60LS

FGP5N60LS

Kirjeldus: IGBT 600V 10A 83W TO220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FGP50D-E3/54

FGP50D-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 5A GP20

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
FGPF30N30

FGPF30N30

Kirjeldus: IGBT 300V 46W TO220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FGP50DHE3/73

FGP50DHE3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 5A GP20

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGP50CHE3/73

FGP50CHE3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGP50BHE3/73

FGP50BHE3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 5A GP20

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FGPF4565

FGPF4565

Kirjeldus: IGBT 650V 30W TO-220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FGPF15N60UNDF

FGPF15N60UNDF

Kirjeldus: IGBT 600V 30A 42W TO-220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FGPF30N30DTU

FGPF30N30DTU

Kirjeldus: IGBT 300V 46W TO220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FGP50CHE3/54

FGP50CHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.