Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FQA8N100C
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
7014037FQA8N100C piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQA8N100C

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$5.00
10+
$4.463
450+
$3.303
900+
$2.678
1350+
$2.50
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FQA8N100C
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FQA8N100C.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-3PN
  • Seeria
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.45 Ohm @ 4A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    225W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Muud nimed
    FQA8N100C-ND
    FQA8N100CFS
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    10 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3220pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1000V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1000V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FQA8N100C" seotud tooted.
FQA7N60

FQA7N60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA7N80C-F109

FQA7N80C-F109

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA85N06

FQA85N06

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA9N90-F109

FQA9N90-F109

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 8.6A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA7N90_F109

FQA7N90_F109

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA8N80C_F109

FQA8N80C_F109

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA90N15

FQA90N15

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA90N15-F109

FQA90N15-F109

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA9N50

FQA9N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA7N90M

FQA7N90M

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA8N90C

FQA8N90C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA90N10V2

FQA90N10V2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 105A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA7N90M_F109

FQA7N90M_F109

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA7N90

FQA7N90

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA8N80C

FQA8N80C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA90N08

FQA90N08

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 90A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA7N80

FQA7N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA7N80_F109

FQA7N80_F109

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA7N80C

FQA7N80C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA8N90C-F109

FQA8N90C-F109

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.