Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FQB6N90TM_AM002
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4876989FQB6N90TM_AM002 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB6N90TM_AM002

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FQB6N90TM_AM002
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FQB6N90TM_AM002.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK (TO-263AB)
  • Seeria
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9 Ohm @ 2.9A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.13W (Ta), 167W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1880pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    900V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 900V 5.8A (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    5.8A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FQB6N90TM_AM002" seotud tooted.
FQB6N50TM

FQB6N50TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5.5A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB7N65CTM

FQB7N65CTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB7N30TM

FQB7N30TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB70N08TM

FQB70N08TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB7N60TM

FQB7N60TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB7N20LTM

FQB7N20LTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 6.5A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB6N80TM

FQB6N80TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB65N06TM

FQB65N06TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 65A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB6N60CTM

FQB6N60CTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB7N60TM-WS

FQB7N60TM-WS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB6N70TM

FQB6N70TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB7N20TM

FQB7N20TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB7N10LTM

FQB7N10LTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB70N10TM_AM002

FQB70N10TM_AM002

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB7N10TM

FQB7N10TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB6N40CTM

FQB6N40CTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB6N60TM

FQB6N60TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB630TM

FQB630TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB6N15TM

FQB6N15TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 6.4A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB6N25TM

FQB6N25TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 5.5A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.