Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FQD20N06TM
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5224580

FQD20N06TM

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.384
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FQD20N06TM
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.FQD20N06TM.pdf
    2.FQD20N06TM.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±25V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D-Pak
  • Seeria
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    63 mOhm @ 8.4A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta), 38W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    FQD20N06TM-ND
    FQD20N06TMTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    6 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    590pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 16.8A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    16.8A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FQD20N06TM" seotud tooted.
FQD2N100TM

FQD2N100TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD1P50TM

FQD1P50TM

Kirjeldus: MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD20N06LTF

FQD20N06LTF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD20N06LTM

FQD20N06LTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N40TF

FQD2N40TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N50TF

FQD2N50TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD1P50TF

FQD1P50TF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N40TM

FQD2N40TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N50TM

FQD2N50TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD20N06TF

FQD20N06TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD20N06LETM

FQD20N06LETM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD1N80TF

FQD1N80TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N100TF

FQD2N100TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N30TM

FQD2N30TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD24N08TF

FQD24N08TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD1N60TF

FQD1N60TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD1N60TM

FQD1N60TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD24N08TM

FQD24N08TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD1N80TM

FQD1N80TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N60CTF

FQD2N60CTF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.