Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FQD2N60CTM
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3463966

FQD2N60CTM

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.403
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FQD2N60CTM
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.FQD2N60CTM.pdf
    2.FQD2N60CTM.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D-Pak
  • Seeria
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.7 Ohm @ 950mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta), 44W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    FQD2N60CTM-ND
    FQD2N60CTMTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    23 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    235pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.9A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "FQD2N60CTM" seotud tooted.
FQD2N50TM

FQD2N50TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N100TF

FQD2N100TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2P40TF

FQD2P40TF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N30TM

FQD2N30TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD24N08TM

FQD24N08TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N60TF

FQD2N60TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N90TF

FQD2N90TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N60TM

FQD2N60TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N60CTM-WS

FQD2N60CTM-WS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 1.9A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N80TF

FQD2N80TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N80TM_WS

FQD2N80TM_WS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N100TM

FQD2N100TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N40TM

FQD2N40TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N90TM

FQD2N90TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N60CTF_F080

FQD2N60CTF_F080

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N50TF

FQD2N50TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2P40TF_F080

FQD2P40TF_F080

Kirjeldus: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N80TM

FQD2N80TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N40TF

FQD2N40TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N60CTF

FQD2N60CTF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.