Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FQD3N30TF
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1932310

FQD3N30TF

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FQD3N30TF
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.FQD3N30TF.pdf
    2.FQD3N30TF.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D-Pak
  • Seeria
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2 Ohm @ 1.2A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta), 30W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    230pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    300V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 300V 2.4A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.4A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FQD3N30TF" seotud tooted.
FQD30N06LTM

FQD30N06LTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD30N06TF

FQD30N06TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD3N40TM

FQD3N40TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD3N50CTM

FQD3N50CTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD3N30TM

FQD3N30TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD3N60CTM-WS

FQD3N60CTM-WS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD3N50CTF

FQD3N50CTF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N90TF

FQD2N90TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD30N06LTF

FQD30N06LTF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD3N60TM

FQD3N60TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD3P20TF

FQD3P20TF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2N90TM

FQD2N90TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2P40TF_F080

FQD2P40TF_F080

Kirjeldus: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD3N60TF

FQD3N60TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD3P20TM

FQD3P20TM

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD30N06TM

FQD30N06TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2P40TF

FQD2P40TF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD3N40TF

FQD3N40TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD2P40TM

FQD2P40TM

Kirjeldus: MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD30N06TF_F080

FQD30N06TF_F080

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.