Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FQD7N10LTF
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2656354

FQD7N10LTF

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FQD7N10LTF
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.FQD7N10LTF.pdf
    2.FQD7N10LTF.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D-Pak
  • Seeria
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    350 mOhm @ 2.9A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta), 25W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    290pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 5.8A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    5.8A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FQD7N10LTF" seotud tooted.
FQD7N30TM

FQD7N30TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD6N60CTM-WS

FQD6N60CTM-WS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD7N10TM

FQD7N10TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD7N20TF

FQD7N20TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD7N30TF

FQD7N30TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD7N20TM

FQD7N20TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD6N40TF

FQD6N40TF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD7N20TM_F080

FQD7N20TM_F080

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD6N60CTM

FQD6N60CTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD6N50CTM_F080

FQD6N50CTM_F080

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD7N20LTF

FQD7N20LTF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD7N10LTM

FQD7N10LTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD6N50CTF

FQD6N50CTF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD6P25TF

FQD6P25TF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD6N40TM

FQD6N40TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD6P25TM

FQD6P25TM

Kirjeldus: MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD6N50CTM

FQD6N50CTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD7N20LTM

FQD7N20LTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD6N40CTM

FQD6N40CTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQD7P06TF

FQD7P06TF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.