Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FQI27N25TU-F085
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
958724FQI27N25TU-F085 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQI27N25TU-F085

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$4.03
10+
$3.60
400+
$2.664
800+
$2.16
1200+
$2.016
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FQI27N25TU-F085
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FQI27N25TU-F085.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    I2PAK (TO-262)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    110 mOhm @ 12.75A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.13W (Ta), 417W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Muud nimed
    FQI27N25TU_F085
    FQI27N25TU_F085-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1800pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    250V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 250V 25.5A (Tc) 3.13W (Ta), 417W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    25.5A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "FQI27N25TU-F085" seotud tooted.
FQI19N20CTU

FQI19N20CTU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 19A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI17P06TU

FQI17P06TU

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 17A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI19N20TU

FQI19N20TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI2NA90TU

FQI2NA90TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI32N20CTU

FQI32N20CTU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI32N12V2TU

FQI32N12V2TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI2N30TU

FQI2N30TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI3N25TU

FQI3N25TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI27P06TU

FQI27P06TU

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI17N08TU

FQI17N08TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI2N90TU

FQI2N90TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI17N08LTU

FQI17N08LTU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI16N25CTU

FQI16N25CTU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI27N25TU

FQI27N25TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI15P12TU

FQI15P12TU

Kirjeldus: MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI13N50CTU

FQI13N50CTU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI1P50TU

FQI1P50TU

Kirjeldus: MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI2P25TU

FQI2P25TU

Kirjeldus: MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI34P10TU

FQI34P10TU

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI2N80TU

FQI2N80TU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.