Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FQP3N50C-F080
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
258418

FQP3N50C-F080

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.58
10+
$1.402
100+
$1.108
500+
$0.859
1000+
$0.678
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FQP3N50C-F080
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FQP3N50C-F080.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.5 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    62W (Tc)
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Muud nimed
    FQP3N50C-F080-ND
    FQP3N50C-F080OS
    FQP3N50C_F080
    FQP3N50C_F080-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    6 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    365pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    500V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 500V 1.8A (Tc) 62W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FQP3N50C-F080" seotud tooted.
FQP32N12V2

FQP32N12V2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 120V 32A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP3N40

FQP3N40

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 2.5A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP3N60

FQP3N60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 3A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP44N08

FQP44N08

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 44A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP3N25

FQP3N25

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP32N20C

FQP32N20C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 28A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP33N10

FQP33N10

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 33A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP3P20

FQP3P20

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP3N80

FQP3N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 3A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP3N30

FQP3N30

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP34N20

FQP34N20

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 31A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP44N10F

FQP44N10F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 43.5A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP3P50

FQP3P50

Kirjeldus: MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP32N20C_F080

FQP32N20C_F080

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 28A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP33N10L

FQP33N10L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 33A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP34N20L

FQP34N20L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 31A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP3N60C

FQP3N60C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 3A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP3N80C

FQP3N80C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 3A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP44N10

FQP44N10

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 43.5A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQP3N90

FQP3N90

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.