Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Isolaatorid > Optoisolators - transistor, fotogalvaaniline välju > H11A817W
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4764742H11A817W piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11A817W

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    H11A817W
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    H11A817W.pdf
  • Pinge - väljund (max)
    70V
  • Pinge - isolatsioon
    5300Vrms
  • Pinge - edasi (Vf) (tüüp)
    1.2V
  • Vce Saturation (max)
    200mV
  • Lülita sisse / välja lülitatud aeg (tüüp)
    -
  • Pakkuja seadme pakett
    4-DIP
  • Seeria
    -
  • Tõusu / languse aeg (tüüp)
    2.4µs, 2.4µs
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    4-DIP (0.400", 10.16mm)
  • Väljundtüüp
    Transistor
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 100°C
  • Kanalite arv
    1
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    DC
  • Täpsem kirjeldus
    Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-DIP
  • Praegune ülekandetasakaal (min)
    50% @ 5mA
  • Praegune ülekandetasu (max)
    600% @ 5mA
  • Praegune - väljund / kanal
    50mA
  • Praegune - DC edasi (kui) (max)
    50mA

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "H11A817W" seotud tooted.
H11AA1-X007

H11AA1-X007

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
H11A817D3SD

H11A817D3SD

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11A817DS

H11A817DS

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11A817D300W

H11A817D300W

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11AA1

H11AA1

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11AA1-X006

H11AA1-X006

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
H11A817DSD

H11A817DSD

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11AA1-V

H11AA1-V

Kirjeldus: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
H11AA1-X009

H11AA1-X009

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

Tootjad: Vishay / Semiconductor - Opto Division
Laos
RFQ
H11AA1

H11AA1

Kirjeldus: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
H11A817SD

H11A817SD

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11A817D300

H11A817D300

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11A817S

H11A817S

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11AA1-X009T

H11AA1-X009T

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

Tootjad: Vishay / Semiconductor - Opto Division
Laos
RFQ
H11AA1-X007T

H11AA1-X007T

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
H11A817D

H11A817D

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11AA1-X001

H11AA1-X001

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
H11A817D3S

H11A817D3S

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11A817DW

H11A817DW

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11AA1

H11AA1

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.