Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Isolaatorid > Optoisolators - transistor, fotogalvaaniline välju > H11B2W
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
339124H11B2W piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11B2W

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    H11B2W
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    H11B2W.pdf
  • Pinge - väljund (max)
    25V
  • Pinge - isolatsioon
    5300Vrms
  • Pinge - edasi (Vf) (tüüp)
    1.2V
  • Vce Saturation (max)
    1V
  • Lülita sisse / välja lülitatud aeg (tüüp)
    25µs, 18µs
  • Pakkuja seadme pakett
    6-DIP
  • Seeria
    -
  • Tõusu / languse aeg (tüüp)
    -
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • Väljundtüüp
    Darlington with Base
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 100°C
  • Kanalite arv
    1
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    DC
  • Täpsem kirjeldus
    Optoisolator Darlington with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP
  • Praegune ülekandetasakaal (min)
    200% @ 1mA
  • Praegune ülekandetasu (max)
    -
  • Praegune - väljund / kanal
    -
  • Praegune - DC edasi (kui) (max)
    100mA

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "H11B2W" seotud tooted.
H11B2S

H11B2S

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11B3M-V

H11B3M-V

Kirjeldus: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
H11B33SD

H11B33SD

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11B3

H11B3

Kirjeldus: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
H11B2S(TB)

H11B2S(TB)

Kirjeldus: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
H11B3-V

H11B3-V

Kirjeldus: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
H11B2S1(TA)

H11B2S1(TA)

Kirjeldus: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
H11B2S1(TA)-V

H11B2S1(TA)-V

Kirjeldus: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
H11B2S(TA)-V

H11B2S(TA)-V

Kirjeldus: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
H11B33S

H11B33S

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11B2S1(TB)

H11B2S1(TB)

Kirjeldus: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
H11B3

H11B3

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11B2SD

H11B2SD

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11B3

H11B3

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: Vishay / Semiconductor - Opto Division
Laos
RFQ
H11B3300W

H11B3300W

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11B3300

H11B3300

Kirjeldus: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
H11B3M

H11B3M

Kirjeldus: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
H11B2S(TA)

H11B2S(TA)

Kirjeldus: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
H11B2S1(TB)-V

H11B2S1(TB)-V

Kirjeldus: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
H11B2S(TB)-V

H11B2S(TB)-V

Kirjeldus: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.