Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > IRF630BTSTU_FP001
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3983797

IRF630BTSTU_FP001

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IRF630BTSTU_FP001
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.IRF630BTSTU_FP001.pdf
    2.IRF630BTSTU_FP001.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220-3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    400 mOhm @ 4.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    72W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3 Cropped Leads
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    720pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    200V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 200V 9A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "IRF630BTSTU_FP001" seotud tooted.
IRF624PBF

IRF624PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRF630NSTRLPBF

IRF630NSTRLPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF630NS

IRF630NS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF630L

IRF630L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 9A TO-262

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRF6218STRLPBF

IRF6218STRLPBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF6218SPBF

IRF6218SPBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 27A D2-PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF630NSTRR

IRF630NSTRR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF624S

IRF624S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRF630B_FP001

IRF630B_FP001

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRF630

IRF630

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IRF624STRR

IRF624STRR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRF630NL

IRF630NL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF630FP

IRF630FP

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IRF630NPBF

IRF630NPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF624STRL

IRF624STRL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRF624

IRF624

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRF630NSPBF

IRF630NSPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF624L

IRF624L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-262

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRF624SPBF

IRF624SPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRF630NLPBF

IRF630NLPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.