KBU6J

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

KBU6J
Tootja / bränd

AMI Semiconductor/onsemi
Varukogus

Laos
Kirjeldus

IC BRIDGE RECT 6A 600V KBU
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

KBU6J.pdf
Pinge - Peak Reverse (Max)

600V
Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui

1V @ 6A
Tehnoloogia

Standard
Pakkuja seadme pakett

KBU
Seeria

-
Pakend

Bulk
Pakett / kott

4-SIP, KBU
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Through Hole
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Diode tüüp

Single Phase
Täpsem kirjeldus

Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole KBU
Praegune - tagasikäik @ Vr

5µA @ 600V
Jooksev - keskmine parandatud (Io)

6A
Baasosa number

KBU6J

Järgnev on "KBU6J" seotud tooted.

KBU8A

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 50V 8A KBU

Tootjad: GeneSiC Semiconductor

Laos

RFQ

KBU6B

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 100V 6A KBU

Tootjad: GeneSiC Semiconductor

Laos

RFQ

KBU6D

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 200V 6A KBU

Tootjad: GeneSiC Semiconductor

Laos

RFQ

KBU6M

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 1000V 6A KBU

Tootjad: GeneSiC Semiconductor

Laos

RFQ

KBU6K

Kirjeldus: IC BRIDGE RECT 6A 800V KBU

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

RFQ

KBU6K-E4/51

Kirjeldus: RECTIFIER BRIDGE 6A 800V KBU

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

KBU6J

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 600V 6A KBU

Tootjad: GeneSiC Semiconductor

Laos

RFQ

KBU6J-E4/51

Kirjeldus: DIODE 6A 600V KBU

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

KBU6M

Kirjeldus: IC BRIDGE RECT 6A 1000V KBU

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

RFQ

KBU6K

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 800V 6A KBU

Tootjad: GeneSiC Semiconductor

Laos

RFQ

KBU8A

Kirjeldus: IC BRIDGE RECT 8A 50V KBU

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

RFQ

KBU6B

Kirjeldus: IC BRIDGE RECT 6A 100V KBU

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

RFQ

KBU6D

Kirjeldus: IC BRIDGE RECT 6A 200V KBU

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

RFQ

KBU6G/1

Kirjeldus: RECTIFIER BRIDGE 6A 400V KBU

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

KBU6M-E4/51

Kirjeldus: DIODE 6A 1000V KBU

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

KBU6D-E4/51

Kirjeldus: RECTIFIER BRIDGE 6A 200V KBU

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

KBU6G

Kirjeldus: IC BRIDGE RECT 6A 400V KBU

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

RFQ

KBU6G

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 400V 6A KBU

Tootjad: GeneSiC Semiconductor

Laos

RFQ

KBU6G-E4/51

Kirjeldus: DIODE 6A 400V KBU

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

KBU6B-E4/51

Kirjeldus: DIODE 6A 100V KBU

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

RFQ

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Eelregistreerimine

KBU6J

Küsi hinnapakkumist

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

KBU8A

KBU6B

KBU6D

KBU6M

KBU6K

KBU6K-E4/51

KBU6J

KBU6J-E4/51

KBU6M

KBU6K

KBU8A

KBU6B

KBU6D

KBU6G/1

KBU6M-E4/51

KBU6D-E4/51

KBU6G

KBU6G

KBU6G-E4/51

KBU6B-E4/51

Vali keel

Praegune keel