Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - üksik > MJ11016
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3528158MJ11016 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJ11016

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MJ11016
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS NPN DARL 120V 30A TO3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    MJ11016.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    120V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    4V @ 300mA, 30A
  • Transistori tüüp
    NPN - Darlington
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-204 (TO-3)
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    200W
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    TO-204AA, TO-3
  • Muud nimed
    MJ11016OS
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Sagedus - üleminek
    4MHz
  • Täpsem kirjeldus
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-204 (TO-3)
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 20A, 5V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    1mA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    30A

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22
Saatmine
Makse
Järgnev on "MJ11016" seotud tooted.
MJ11016G

MJ11016G

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 120V 30A TO3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ11030G

MJ11030G

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ11028G

MJ11028G

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 60V 50A TO3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ10R0FE-R52

MJ10R0FE-R52

Kirjeldus: RES 10 OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
MJ10R5FE-R52

MJ10R5FE-R52

Kirjeldus: RES 10.5 OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
MJ11015G

MJ11015G

Kirjeldus: TRANS PNP DARL 120V 30A TO3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ10R7FE-R52

MJ10R7FE-R52

Kirjeldus: RES 10.7 OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
MJ11030

MJ11030

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ1101FE-R52

MJ1101FE-R52

Kirjeldus: RES 1.1K OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
MJ1073FE-R52

MJ1073FE-R52

Kirjeldus: RES 107K OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
MJ11022G

MJ11022G

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ1100FE-R52

MJ1100FE-R52

Kirjeldus: RES 110 OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
MJ1102FE-R52

MJ1102FE-R52

Kirjeldus: RES 11K OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
MJ10R2FE-R52

MJ10R2FE-R52

Kirjeldus: RES 10.2 OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
MJ11022

MJ11022

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ11021G

MJ11021G

Kirjeldus: TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ1071FE-R52

MJ1071FE-R52

Kirjeldus: RES 1.07K OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
MJ11021

MJ11021

Kirjeldus: TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ11012G

MJ11012G

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ1072FE-R52

MJ1072FE-R52

Kirjeldus: RES 10.7K OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.