Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - üksik > MJ11032
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4832096MJ11032 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJ11032

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MJ11032
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS NPN DARL 120V 50A TO3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    MJ11032.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    120V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    3.5V @ 500mA, 50A
  • Transistori tüüp
    NPN - Darlington
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-3
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    300W
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    TO-204AE
  • Muud nimed
    MJ11032OS
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Sagedus - üleminek
    -
  • Täpsem kirjeldus
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-3
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 25A, 5V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    2mA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    50A

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "MJ11032" seotud tooted.
MJ1103FE-R52

MJ1103FE-R52

Kirjeldus: RES 110K OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
MJ11033G

MJ11033G

Kirjeldus: TRANS PNP DARL 120V 50A TO3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ1132FE-R52

MJ1132FE-R52

Kirjeldus: RES 11.3K OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
MJ11030

MJ11030

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ1102FE-R52

MJ1102FE-R52

Kirjeldus: RES 11K OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
MJ11022G

MJ11022G

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ1150FE-R52

MJ1150FE-R52

Kirjeldus: RES 115 OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
MJ1101FE-R52

MJ1101FE-R52

Kirjeldus: RES 1.1K OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
MJ11016G

MJ11016G

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 120V 30A TO3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ11028G

MJ11028G

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 60V 50A TO3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ11032G

MJ11032G

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 120V 50A TO3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ11021G

MJ11021G

Kirjeldus: TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ11022

MJ11022

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ1152FE-R52

MJ1152FE-R52

Kirjeldus: RES 11.5K OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
MJ11030G

MJ11030G

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ1133FE-R52

MJ1133FE-R52

Kirjeldus: RES 113K OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
MJ11021

MJ11021

Kirjeldus: TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJ1131FE-R52

MJ1131FE-R52

Kirjeldus: RES 1.13K OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
MJ1130FE-R52

MJ1130FE-R52

Kirjeldus: RES 113 OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
MJ1153FE-R52

MJ1153FE-R52

Kirjeldus: RES 115K OHM 1/8W 1% AXIAL

Tootjad: Ohmite
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.