Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - üksik > MJD112-1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3012631MJD112-1G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD112-1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.68
75+
$0.545
150+
$0.436
525+
$0.342
1050+
$0.265
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MJD112-1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    MJD112-1G.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    100V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    3V @ 40mA, 4A
  • Transistori tüüp
    NPN - Darlington
  • Pakkuja seadme pakett
    I-PAK
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    1.75W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Muud nimed
    MJD112-1GOS
    MJD1121G
  • Töötemperatuur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    9 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sagedus - üleminek
    25MHz
  • Täpsem kirjeldus
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-PAK
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 2A, 3V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    20µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    2A
  • Baasosa number
    MJD112

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "MJD112-1G" seotud tooted.
MJD112G

MJD112G

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJD117-001

MJD117-001

Kirjeldus: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJD117

MJD117

Kirjeldus: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJD122-TP

MJD122-TP

Kirjeldus: TRANS NPN 100V 8A DPAK

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
MJD117T4

MJD117T4

Kirjeldus: TRANS PNP DARL 100V 2A D-PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
MJD112-001

MJD112-001

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJD112T4

MJD112T4

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJD112-TP

MJD112-TP

Kirjeldus: TRANS NPN 100V 2A DPAK

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
MJD117T4

MJD117T4

Kirjeldus: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJD112TF

MJD112TF

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJD122-1

MJD122-1

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
MJD117TF

MJD117TF

Kirjeldus: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJD117T4G

MJD117T4G

Kirjeldus: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJD112T4

MJD112T4

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
MJD117RLG

MJD117RLG

Kirjeldus: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJD112T4G

MJD112T4G

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJD112RLG

MJD112RLG

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJD117-1G

MJD117-1G

Kirjeldus: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJD112RL

MJD112RL

Kirjeldus: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MJD117G

MJD117G

Kirjeldus: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.