Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - üksik > MJD31C1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5497429MJD31C1 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD31C1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MJD31C1
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS NPN 100V 3A IPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    100V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    1.2V @ 375mA, 3A
  • Transistori tüüp
    NPN
  • Pakkuja seadme pakett
    I-PAK
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    1.56W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Töötemperatuur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Sagedus - üleminek
    3MHz
  • Täpsem kirjeldus
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Through Hole I-PAK
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    10 @ 3A, 4V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    50µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    3A
  • Baasosa number
    MJD31
MJD31CG

MJD31CG

Kirjeldus: TRANS NPN 100V 3A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
MJD29CTF

MJD29CTF

Kirjeldus: TRANS NPN 100V 1A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
MJD31CQ-13

MJD31CQ-13

Kirjeldus: TRANS NPN 100V 3A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
MJD3055T4G

MJD3055T4G

Kirjeldus: TRANS NPN 60V 10A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
MJD31CRLG

MJD31CRLG

Kirjeldus: TRANS NPN 100V 3A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
MJD31CT4

MJD31CT4

Kirjeldus: TRANS NPN 100V 3A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
MJD31CT4-A

MJD31CT4-A

Kirjeldus: TRANS NPN 100V 3A DPAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
MJD31CITU

MJD31CITU

Kirjeldus: TRANS NPN 100V 3A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
MJD3055T4

MJD3055T4

Kirjeldus: TRANS NPN 60V 10A DPAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
MJD31C

MJD31C

Kirjeldus: TRANS NPN 100V 3A D-PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
MJD31CRL

MJD31CRL

Kirjeldus: TRANS NPN 100V 3A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
MJD3055T4

MJD3055T4

Kirjeldus: TRANS NPN 60V 10A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
MJD2955TF

MJD2955TF

Kirjeldus: TRANS PNP 60V 10A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
MJD31CETF

MJD31CETF

Kirjeldus: TRANS NPN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
MJD3055G

MJD3055G

Kirjeldus: TRANS NPN 60V 10A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
MJD3055TF

MJD3055TF

Kirjeldus: TRANS NPN 60V 10A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
MJD31C1G

MJD31C1G

Kirjeldus: TRANS NPN 100V 3A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
MJD31CT4

MJD31CT4

Kirjeldus: TRANS NPN 100V 3A DPAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
MJD3055

MJD3055

Kirjeldus: TRANS NPN 60V 10A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
MJD31C-13

MJD31C-13

Kirjeldus: TRANS NPN 100V 3A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi