Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > MMDFS6N303R2
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5667136

MMDFS6N303R2

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.564
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MMDFS6N303R2
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    MMDFS6N303R2.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SOIC
  • Seeria
    FETKY™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    MMDFS6N303R2OS
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    600pF @ 24V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31.4nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "MMDFS6N303R2" seotud tooted.
MMDF2P02HDR2

MMDF2P02HDR2

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMDL6050T1

MMDL6050T1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 70V 200MA SOD323

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMDF3N02HDR2G

MMDF3N02HDR2G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMDF3N04HDR2

MMDF3N04HDR2

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMDF2P02HDR2G

MMDF2P02HDR2G

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMDL301T1G

MMDL301T1G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 200MW 30V SOD-323

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMDF2C03HDR2G

MMDF2C03HDR2G

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMDF2P02ER2G

MMDF2P02ER2G

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 25V 2.5A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMDF3N02HDR2

MMDF3N02HDR2

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMDL101T1G

MMDL101T1G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SOD-323

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMDL6050T1G

MMDL6050T1G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 70V 200MA SOD323

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMDF2N02ER2

MMDF2N02ER2

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMDL101T1

MMDL101T1

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SOD-323

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMDF2N02ER2G

MMDF2N02ER2G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMDL914T1G

MMDL914T1G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMDL770T1G

MMDL770T1G

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 70V SOD323

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMDL914-TP

MMDL914-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
MMDL914T3G

MMDL914T3G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMDF3N04HDR2G

MMDF3N04HDR2G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMDL301T1

MMDL301T1

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 200MW 30V SOD-323

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.