Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - üksik, eelnevalt > MMUN2111LT1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
475434MMUN2111LT1G piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMUN2111LT1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.022
6000+
$0.02
15000+
$0.017
30000+
$0.016
75000+
$0.014
150000+
$0.012
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MMUN2111LT1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    MMUN2111LT1G.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistori tüüp
    PNP - Pre-Biased
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Seeria
    -
  • Takisti - emitteri alus (R2)
    10 kOhms
  • Takisti - alus (R1)
    10 kOhms
  • Võimsus - maks
    246mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    MMUN2111LT1GOS
    MMUN2111LT1GOS-ND
    MMUN2111LT1GOSTR
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    36 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    500nA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100mA
  • Baasosa number
    MMUN21**L

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "MMUN2111LT1G" seotud tooted.
MMUN2114LT1

MMUN2114LT1

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMUN2114LT3G

MMUN2114LT3G

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMU01020C7501FB300

MMU01020C7501FB300

Kirjeldus: RES 7.5K OHM 1% 0.3W MELF 0102

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
MMUN2113LT1

MMUN2113LT1

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMU01020C8202FB300

MMU01020C8202FB300

Kirjeldus: RES 82K OHM 1% 0.3W MELF 0102

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
MMUN2112LT1

MMUN2112LT1

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMUN2113LT1G

MMUN2113LT1G

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMUN2113LT3

MMUN2113LT3

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMUN2111LT1

MMUN2111LT1

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMU01020C7500FB300

MMU01020C7500FB300

Kirjeldus: RES 750 OHM 1% 0.3W MELF 0102

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
MMU01020C6809FB300

MMU01020C6809FB300

Kirjeldus: RES 68 OHM 1% 0.3W MELF 0102

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
MMUN2111LT3G

MMUN2111LT3G

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMU01020C7502FB300

MMU01020C7502FB300

Kirjeldus: RES 75K OHM 1% 0.3W MELF 0102

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
MMUN2114LT1G

MMUN2114LT1G

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMUN2112LT1G

MMUN2112LT1G

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMUN2113LT3G

MMUN2113LT3G

Kirjeldus: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MMU01020C8201FB300

MMU01020C8201FB300

Kirjeldus: RES 8.2K OHM 1% 0.3W MELF 0102

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
MMU01020Z0000ZB300

MMU01020Z0000ZB300

Kirjeldus: RES SMD 0 OHM JUMPER 0.3W 0102

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
MMU01020C8200FB300

MMU01020C8200FB300

Kirjeldus: RES 820 OHM 1% 0.3W MELF 0102

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
MMU01020C7509FB300

MMU01020C7509FB300

Kirjeldus: RES 75 OHM 1% 0.3W MELF 0102

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.