Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - üksik > MSD601-ST1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6334154MSD601-ST1 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MSD601-ST1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MSD601-ST1
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS NPN 50V 0.1A SC59
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    MSD601-ST1.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    500mV @ 10mA, 100mA
  • Transistori tüüp
    NPN
  • Pakkuja seadme pakett
    SC-59
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    200mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    MSD601-ST1OS
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Sagedus - üleminek
    -
  • Täpsem kirjeldus
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-59
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    290 @ 2mA, 10V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    100nA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100mA
  • Baasosa number
    MSD601

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "MSD601-ST1" seotud tooted.
MSD50-08

MSD50-08

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 3PH 800V 50A SM1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
MSD602-RT1G

MSD602-RT1G

Kirjeldus: TRANS NPN 50V 0.5A SC59

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MSD50-16

MSD50-16

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 1600V 50A M1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
MSD75-16

MSD75-16

Kirjeldus: MOD DIODE GPP 1600V 75A M2

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
MSD6100G

MSD6100G

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MSD52-08

MSD52-08

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 3PH 800V 50A SM2

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
MSD52-12

MSD52-12

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 3PH 1200V 50A SM2

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
MSD6100RLRA

MSD6100RLRA

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MSD75-18

MSD75-18

Kirjeldus: MOD BRIDGE 3PH 1800V 75A M2

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
MSD52-16

MSD52-16

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 1600V 50A SM2

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
MSD601-RT1

MSD601-RT1

Kirjeldus: TRANS NPN 50V 0.1A SC59

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MSD50-18

MSD50-18

Kirjeldus: MOD BRIDGE 3PH 1800V 50A M1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
MSD75-12

MSD75-12

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 3PH 1200V 75A SM2

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
MSD75-08

MSD75-08

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 3PH 800V 75A SM2

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
MSD601-RT1G

MSD601-RT1G

Kirjeldus: TRANS NPN 50V 0.1A SC59

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MSD50-12

MSD50-12

Kirjeldus: DIODE BRIDGE 3PH 1200V 50A SM1

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
MSD601-ST1G

MSD601-ST1G

Kirjeldus: TRANS NPN 50V 0.1A SC59

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MSD6100

MSD6100

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MSD6100RLRAG

MSD6100RLRAG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
MSD52-18

MSD52-18

Kirjeldus: MOD BRIDGE 3PH 1800V 50A M2

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.