Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > MVB50P03HDLT4G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1391812

MVB50P03HDLT4G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MVB50P03HDLT4G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    INTEGRATED CIRCUIT
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    MVB50P03HDLT4G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±15V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D2PAK-3
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 25A, 5V
  • Voolukatkestus (max)
    125W (Tc)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4.9nF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    100nC @ 5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 30V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK-3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "MVB50P03HDLT4G" seotud tooted.
FDD390N15ALZ

FDD390N15ALZ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQI6N60CTU

FQI6N60CTU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRLML2030TRPBF

IRLML2030TRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
IXTK60N50L2

IXTK60N50L2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 60A TO-264

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
IRFI644G

IRFI644G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NTMFS4C06NT3G

NTMFS4C06NT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMFS4897NFT3G

NTMFS4897NFT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V SO-8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTD4810NH-35G

NTD4810NH-35G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BSP179H6327XTSA1

BSP179H6327XTSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SPP21N50C3HKSA1

SPP21N50C3HKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXFJ20N85X

IXFJ20N85X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
STP180N55F3

STP180N55F3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 120A TO-220

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
SI2325DS-T1-E3

SI2325DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BUZ73AE3046XK

BUZ73AE3046XK

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRL1104S

IRL1104S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M012A060H

GP1M012A060H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
IRFD320

IRFD320

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.