Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > MVDF2C03HDR2G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6035078

MVDF2C03HDR2G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MVDF2C03HDR2G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    MVDF2C03HDR2G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SOIC
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70 mOhm @ 3A, 10V
  • Võimsus - maks
    2W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    630pF @ 24V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • FET tüüp
    N and P-Channel Complementary
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4.1A, 3A

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "MVDF2C03HDR2G" seotud tooted.
AO4614BL_201

AO4614BL_201

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
DMPH6050SPDQ-13

DMPH6050SPDQ-13

Kirjeldus: MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SI5947DU-T1-E3

SI5947DU-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
MVDF1N05ER2G

MVDF1N05ER2G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG6306P

FDG6306P

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS4885C

FDS4885C

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMD6601NR2G

NTMD6601NR2G

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ALD1102PAL

ALD1102PAL

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
RFQ
DMN63D1LV-7

DMN63D1LV-7

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
AON6934

AON6934

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
GWM120-0075X1-SL

GWM120-0075X1-SL

Kirjeldus: MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
APTM50HM75FTG

APTM50HM75FTG

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
NTZD3152PT1G

NTZD3152PT1G

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-563

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IPG20N04S4L08AATMA1

IPG20N04S4L08AATMA1

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 8TDSON

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FDS6911

FDS6911

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRF7304TR

IRF7304TR

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
NTLUD3191PZTBG

NTLUD3191PZTBG

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
EMH2604-TL-H

EMH2604-TL-H

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A EMH8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
AON4803

AON4803

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A DFN3X2

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
IRF9358PBF

IRF9358PBF

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.